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中科院上海微系统所:双向高导热石墨膜霸术获冲突 为5G芯片、功率半导体热惩办提供时间复旧
2025-06-30
新华财经北京6月23日电中国科学院上海微系统所联接宁波大学霸术团队近日在《Advanced Functional Materials》发表霸术,提议以芳纶膜为先行者体通过高温石墨化工艺制备低劣势、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜,在膜厚度达到40微米的情况下收花样内热导率Kin达到1754 W/m·K,面外热导率Kout冲突14.2 W/m·K。与传统导热膜比拟,双向高导热石墨膜在面内和面外热导率及劣势抑制上均弘扬出显赫上风。 在智高东谈主机散热模拟中,搭载双向高导热石墨膜的芯片名义最高温度从
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