中科院上海微系统所：双向高导热石墨膜霸术获冲突 为5G芯片、功率半导体热惩办提供时间复旧
发布日期：2025-06-30 11:20 点击次数：165
新华财经北京6月23日电中国科学院上海微系统所联接宁波大学霸术团队近日在《Advanced Functional Materials》发表霸术，提议以芳纶膜为先行者体通过高温石墨化工艺制备低劣势、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜，在膜厚度达到40微米的情况下收花样内热导率Kin达到1754 W/m·K，面外热导率Kout冲突14.2 W/m·K。与传统导热膜比拟，双向高导热石墨膜在面内和面外热导率及劣势抑制上均弘扬出显赫上风。
在智高东谈主机散热模拟中，股票投资搭载双向高导热石墨膜的芯片名义最高温度从52 ℃降至45 ℃；在2000 W/cm²热流密度的高功率芯片散热中，AGFs使芯片名义温差从50 ℃降至9 ℃，罢了快速温度均匀化。该霸术揭示了芳纶先行者体在石墨膜制备中的独到上风，证实注解了氮掺杂与低氧含量先行者体可提高石墨膜结晶质地和双向导热特质，其双向导热性能冲突可为5G芯片、功率半导体等高功率器件热惩办提供要道材料和时间复旧。
